خنککاری تراشههای الکترونیکی به کمک نانولولههای کربنی |
سه شنبه 27 آذر 1397 - ساعت 10:49 |
محققان دانشگاه صنعتی قوچان و دانشگاه فردوسی مشهد، با توسعهی یک نانوسیال تغییر فازدهنده، موفق به بهبود عملکرد خنکسازی ریزتراشههای الکترونیکی شدند. این نانوسیال را میتوان جهت کاهش دما و افزایش کارایی ابررایانهها، ریزپردازندهها، باتریها و ترانزیستورها مورد استفاده قرار داد. |
با پیشرفت روزافزون فناوری، سامانهها و قطعات الکترونیکی همواره کوچک و کوچکتر و قدرتمند و قدرتمندتر میشوند. افزایش کارایی آنها با افزایش توان مصرفی و در نتیجه افزایش تولید گرما در این قطعات همراه است. ازاینرو مسائل مربوط به خنک کردن و مدیریت گرما در تراشههای الکترونیکی از اهمیت بالایی برخوردار است. محققان دانشگاه صنعتی قوچان و فردوسی مشهد نانوسیالی حاوی نانولولههای کربنی سنتز کردهاند که قابلیت بالایی در خنککنندگی ریزتراشههای الکترونیکی از خود بروز میدهد.
دکتر محمد سردارآبادی- استادیار گروه مهندسی انرژی دانشگاه صنعتی قوچان- ضمن اشاره به روشهای مختلف خنککاری تراشههای الکترونیکی، در خصوص اهداف دنبال شده در این طرح گفت: « تاکنون روشهای مختلفی نظیر خنککاری با تهویهی هوا توسط فن، استفاده از هیت سینک و استفاده از سامانههای ترکیبی حاوی سیال بهمنظور خنککاری تراشههای الکترونیکی استفاده شدهاست. نانوسیالات، نسل جدیدی از مواد خنک کننده هستند که گروههای مختلفی در سرتاسر جهان بر روی توسعهی آنها متمرکز شدهاند. در طرح حاضر یک نانوسیال متشکل از نانولولههای کربنی و ماده با قابلیت تغییر فاز در دمای مناسب، جهت خنکسازی تراشههای الکترونیکی سنتز و معرفی شدهاست.»
وی تصریح کرد: « استفاده از این نانوسیال ضمن خنککنندگی مؤثرتر تراشه الکترونیکی، موجب کاهش مصرف انرژی مورد نیاز برای خنکسازی و جلوگیری از نوسانات دمایی سیستم و در نهایت موجب افزایش عمر مفید سیستم نیز میگردد.» |
روزنامهء هموطن سلام http://www.hamvatansalam.com |
آدرس خبر : http://www.hamvatansalam.com/news215501.html |